Process and temperature compensation for RF low-noise amplifiers and mixers
Carregant...
El pots comprar en digital a:
El pots comprar en paper a:
Títol de la revista
ISSN de la revista
Títol del volum
Cita com:
Col·laborador
Editor
Tribunal avaluador
Realitzat a/amb
Tipus de document
Article
Data publicació
Editor
Condicions d'accés
Accés obert
Llicència
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització de la persona titular dels drets
Publicacions relacionades
Datasets relacionats
Projecte CCD
Abstract
Temperature and process variations have become key issues in the design of integrated circuits using deep submicron technologies. In RF front-end circuitry, many characteristics must be compensated in order to maintain acceptable performance across all process corners and throughout the temperature range. This paper proposes a new technique consisting of a compensation circuit that adapts and generates the appropriate bias voltage for LNAs and mixers so that the variability with temperature and process corners of their main performance metrics (S-parameters, gain, noise figure, etc.) is minimized.
Descripció
Persones/entitats
Document relacionat
Versió de
Citació
Gómez, D.; Sroka, M.; González, J. Process and temperature compensation for RF low-noise amplifiers and mixers. "IEEE transactions on circuits and systems I: regular papers", 18 Desembre 2009, p. 1-8.
Ajut
Forma part
Dipòsit legal
ISBN
ISSN
1549-8328



