William Shockley
| William Bradford Shockley Jr. | |
 | |
| Naissença | 13 de febrièr de 1910 Londres, Reialme Unit |
|---|---|
| Mòrt | 12 d'agost de 1989 Stanford, Califòrnia |
| País d'origina |  Estats Units |
| Distincions | Prèmi Nobel de Fisica en 1956 |
modificar  |
|
William Bradford Shockley Jr. (n. 13 de febrièr de 1910 - m. 12 d'agost de 1989) foguèt un un fisician nòrd-american premiat amb lo Prèmi Nobel de Fisica l'an 1956.
Biografia
[modificar | Modificar lo còdi]Nasquèt dins la vila de Londres filh de parents nòrd-americans. Installat amb la siá familha a l'estat nòrd-american de Califòrnia estudièt fisica a l'Institut Tecnologic de Califòrnia e se doctorèt l'an 1936 a l'Institut Tecnologic de Massachusetts.
William Shockey moriguèt lo 1989 dins la vila californiana de Stanford a consequéncia d'un càncer de prostata.
Recèrca scientifica
[modificar | Modificar lo còdi]Inicièt los sieus primièrs trabalhs a l'entorn dels electrons als Laboratòris Bèles de Nòva Jersei, contunhant posteriorament en l'investigacion sul radar, fins que lo 1942 abandonèt lo sieu càrrer als Laboratòris Bèles per venir director del Grop de recèrca de la guèrra anti-submarina de l'Universitat de Columbia.
A la fin de la Segonda Guèrra Mondiala los laboratòris Bèles formèron un grop de trabalh a l'entorn de la fisica d'estat solid, condusit per Shockley e lo quimista Stanley Morgan, amb la collaboracion de John Bardeen, Walter Houser Brattain, Gerald Pearson, Robert Gibney, Hilbert Moore e de divèrses tecnicians. La siá assignacion èra cercar una alternativa d'estat solid als amplificadors de cristal fragilas de la valvula de void. Las siás primièras temptativas foguèron basadas en las idèas de Shockley sus usar un camp electric extèrne en un semiconductor per afectar la siá conductivitat. Aqueles assages manquèron a cada pròva, fins que Bardeen suggeriguèt una teoria que invocava los estats superficiales qu'evitèron que lo camp penetrèt lo semiconductor. Las siás recèrcas contunhèron amb la descripcion del diòde, la version electronica de la valvula de void. Las siás recèrcas a l'entorn dels semiconductors lo portèron a formular lo 4 de julhet de 1951 lo transistor bipolar, en obtenent la siá brevet en setembre del meteis an.
Lo 1957 fondèt lo sieu pròpri laboratòri d'investigacion, Fairchild Semiconductor, mas la siá forma de portar l'entrepresa provoquèt qu'uèch de los sieus investigadors abandonèsson la companhiá lo 1958, que foguèsson entre el Robert Noyce e Gordon Moore que mai tard crearián Intel.
L'an 1956 foguèt premiat amb lo Prèmi Nobel de Fisica, amb John Bardeen e Walter Houser Brattain, per la siá recèrca en semiconductors e per la descobèrta de l'efièch transistor.
